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Produit

STGD6M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK

STGD6M65DF2
Modèle
STGD6M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Catégories
IGBTs simples
Emballage
Cut Tape (CT)
RoHS
Conforme
Fiche technique
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Spécifications techniques

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Surface Mount
  • Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • Fournisseur Dispositif Emballage DPAK
  • Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temps de récupération inverse (trr) 140 ns
  • Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 24 A
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 12 A
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
  • Puissance - Max 88 W
  • Énergie de Commutation 36µJ (on), 200µJ (off)
  • Charge de grille 21.2 nC
  • Td (on/off) @ 25°C 15ns/90ns
  • Condition de test 400V, 6A, 22Ohm, 15V

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