- Modèle
- STGSH80HB65DAG
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Catégories
- Modules IGBT
- Emballage
- Bulk
- RoHS
- Conforme
- Fiche technique
- Télécharger
Spécifications techniques
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Puissance - Max 250 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 83 A
- Boîtier 9-PowerSMD
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
- Fournisseur Dispositif Emballage 9-ACEPACK SMIT
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 10450 pF @ 25 V
