תפריט
צור קשר
ובקשת הצעת מחיר
מוצר

MIB30N65AT1Y-TP

IGBT DISCRETE,D2-PAK

MIB30N65AT1Y-TP
דגם
MIB30N65AT1Y-TP
קטגוריה
Single IGBTs
אריזה
Tape & Reel (TR)
RoHS
מתאים
גיליון נתונים
הורד

מפרטים

  • Part Status Active
  • Mounting Type Surface Mount
  • Grade -
  • Qualification -
  • Current - Collector (Ic) (Max) 40 A
  • Input Type Standard
  • Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Supplier Device Package D2PAK
  • Gate Charge 160 nC
  • Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
  • Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V
  • IGBT Type Trench Field Stop
  • Power - Max 136 W
  • Reverse Recovery Time (trr) 114 ns
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A
  • Switching Energy 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C 58ns/93ns
  • Test Condition 400V, 30A, 20Ohm, 15V

סרוק את קוד ה-QR כדי לעקוב אחרי חשבון WeChat שלנו.

קוד QR של WeChat
סגור את החלון הקופץ של WeChat