製品

FP50R12N2T7PBPSA1

1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE

FP50R12N2T7PBPSA1
型番
FP50R12N2T7PBPSA1
メーカー
Infineon Technologies
パッケージ
Tray
RoHS
適合
データシート
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • パッケージ / ケース Module
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 50 A
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
  • コンフィギュレーション Three Phase Inverter
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • NTCサーミスタ Yes
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • サプライヤーデバイスパッケージ AG-ECONO2B
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.85V @ 15V, 25A
  • 入力容量(Cies)@ Vce 11.1 nF @ 25 V
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 4 µA

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