製品

GH50H65DRB2-7AG

IGBT

GH50H65DRB2-7AG
型番
GH50H65DRB2-7AG
メーカー
STMicroelectronics
分類
単体 IGBT
パッケージ
Bulk
RoHS
適合
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Surface Mount
  • 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • グレード Automotive
  • 認定 AEC-Q101
  • パッケージ / ケース TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 输入类型 Standard
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 200 A
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 50A
  • 試験条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
  • パワー - 最大 385 W
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 108 A
  • サプライヤーデバイスパッケージ H2PAK-7
  • ゲートチャージ 152 nC
  • スイッチングエネルギー 557µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C -/117ns
  • 逆回復時間(trr) 912 ns

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