製品

IXYN100N65B3D1

DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI

IXYN100N65B3D1
型番
IXYN100N65B3D1
メーカー
IXYS
パッケージ
Tube
RoHS
適合

仕様パラメータ

  • 部品ステータス Obsolete
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • コンフィギュレーション Single
  • 输入 Standard
  • NTCサーミスタ No
  • サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
  • パッケージ / ケース SOT-227-4, miniBLOC
  • IGBTタイプ PT
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • パワー - 最大 600 W
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 50 µA
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 185 A
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.85V @ 15V, 70A
  • 入力容量(Cies)@ Vce 4.74 nF @ 25 V

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