製品

MIB30N65AT1Y-TP

IGBT DISCRETE,D2-PAK

MIB30N65AT1Y-TP
型番
MIB30N65AT1Y-TP
分類
単体 IGBT
パッケージ
Tape & Reel (TR)
RoHS
適合
データシート
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Surface Mount
  • グレード -
  • 認定 -
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK
  • ゲートチャージ 160 nC
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 60 A
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • パワー - 最大 136 W
  • 逆回復時間(trr) 114 ns
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.95V @ 15V, 30A
  • スイッチングエネルギー 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 58ns/93ns
  • 試験条件 400V, 30A, 20Ohm, 15V

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