製品

MIP15R12E1TN-BP

IGBT MODULES

MIP15R12E1TN-BP
型番
MIP15R12E1TN-BP
パッケージ
Bulk
RoHS
適合
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ -
  • パッケージ / ケース Module
  • IGBTタイプ -
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
  • 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 1 mA
  • コンフィギュレーション Three Phase Inverter
  • 输入 Three Phase Bridge Rectifier
  • NTCサーミスタ Yes
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 15 A
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 15A
  • 入力容量(Cies)@ Vce 1100 pF @ 25 V
  • パワー - 最大 142 W

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