- 型番
- MIP50R12E1ATN-BP
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Bulk
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- IGBTタイプ -
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 50 A
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- コンフィギュレーション Three Phase Inverter
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 50A
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTCサーミスタ Yes
- パワー - 最大 288 W
- 入力容量（Cies）@ Vce 2.6 nF @ 25 V
- サプライヤーデバイスパッケージ E1A
