- 型番
- MIP50R12E2TN-BP
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tape & Reel (TR)
- RoHS
- 適合
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ -
- パッケージ / ケース Module
- IGBTタイプ -
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- コンフィギュレーション Three Phase Inverter
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTCサーミスタ Yes
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 35 A
- パワー - 最大 227 W
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 1.95V @ 15V, 35A
- 入力容量（Cies）@ Vce 2000 pF @ 25 V
