製品

MIW50N65AT1Y-BP

IC

MIW50N65AT1Y-BP
型番
MIW50N65AT1Y-BP
分類
単体 IGBT
パッケージ
Tube
RoHS
適合
データシート
ダウンロード

仕様パラメータ

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • グレード -
  • 認定 -
  • パッケージ / ケース TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 80 A
  • ゲートチャージ 150 nC
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 150 A
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.8V @ 15V, 50A
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • パワー - 最大 306 W
  • 試験条件 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AB
  • 逆回復時間(trr) 148 ns
  • スイッチングエネルギー 3.18mJ (on), 1.25mJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 20ns/103ns

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