製品

NXH100T120L3Q0S1NG

1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA

NXH100T120L3Q0S1NG
型番
NXH100T120L3Q0S1NG
メーカー
onsemi
パッケージ
Tray
RoHS
適合
データシート
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • パッケージ / ケース Module
  • IGBTタイプ -
  • 输入 Standard
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTCサーミスタ Yes
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 200 µA
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 54 A
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 75A
  • コンフィギュレーション Three Level Inverter
  • パワー - 最大 122 W
  • 入力容量(Cies)@ Vce 4877 pF @ 25 V
  • サプライヤーデバイスパッケージ 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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