- 型番
- NXH200B100H4F2SG-R
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Obsolete
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1000 V
- NTCサーミスタ Yes
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 100 A
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 200 µA
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.4V @ 15V, 100A
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- パワー - 最大 93 W
- サプライヤーデバイスパッケージ 36-PIM (56.7x48)
- 入力容量（Cies）@ Vce 6523 pF @ 20 V
