- 型番
- NXH200T120H3Q2F2STG
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- コンフィギュレーション Half Bridge
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ No
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 500 µA
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 330 A
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 200A
- サプライヤーデバイスパッケージ 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- パワー - 最大 679 W
- 入力容量（Cies）@ Vce 35.615 nF @ 25 V
