- 型番
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- 输入 Standard
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1000 V
- NTCサーミスタ Yes
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- パワー - 最大 276 W
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 303 A
- 入力容量（Cies）@ Vce 24.146 nF @ 20 V
- サプライヤーデバイスパッケージ 42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 375A
