- 型番
- NXH600B100H4Q2F2S1G
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 输入 Standard
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1000 V
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTCサーミスタ Yes
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 20 µA
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 200A
- サプライヤーデバイスパッケージ 56-PIM (93x47)
- 入力容量（Cies）@ Vce 12687.7 pF @ 20 V
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 173 A
- パワー - 最大 422 W
