- 型番
- NXH80T120L2Q0P2G
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- 動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ Yes
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 67 A
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 300 µA
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- サプライヤーデバイスパッケージ 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- パワー - 最大 158 W
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.85V @ 15V, 80A
- 入力容量（Cies）@ Vce 19.4 nF @ 20 V
