製品

RGW50TK65DGVC11

IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM

RGW50TK65DGVC11
型番
RGW50TK65DGVC11
メーカー
ROHM Semiconductor
分類
単体 IGBT
パッケージ
Tube
RoHS
適合

仕様パラメータ

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • 输入类型 Standard
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 30 A
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 100 A
  • 逆回復時間(trr) 92 ns
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • ゲートチャージ 73 nC
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PFM
  • パッケージ / ケース TO-3PFM, SC-93-3
  • 試験条件 400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 25A
  • スイッチングエネルギー 390µJ (on), 430µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 35ns/102ns
  • パワー - 最大 67 W

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