製品

RGW80TK65EGVC11

IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM

RGW80TK65EGVC11
型番
RGW80TK65EGVC11
メーカー
ROHM Semiconductor
分類
単体 IGBT
パッケージ
Tube
RoHS
適合

仕様パラメータ

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • 输入类型 Standard
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 160 A
  • ゲートチャージ 110 nC
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • 試験条件 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • パワー - 最大 81 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PFM
  • 逆回復時間(trr) 102 ns
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 40A
  • パッケージ / ケース TO-3PFM, SC-93-3
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 39 A
  • スイッチングエネルギー 760µJ (on), 720µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 44ns/143ns

QRコードをスキャンして、当社の公式WeChatアカウントをフォローしてください。

WeChat QRコード
WeChatのポップアップを閉じる