- 型番
- SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1
- メーカー
- onsemi
- 分類
- IGBT モジュール
- パッケージ
- Tray
- RoHS
- 適合
- データシート
- ダウンロード
仕様パラメータ
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ Yes
- 動作温度 175°C (TJ)
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 113 A
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 300 µA
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- サプライヤーデバイスパッケージ 40-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 225A
- 入力容量（Cies）@ Vce 14630 pF @ 20 V
- パワー - 最大 226 W
