製品

SNXH150B120H3Q2F2PG-N

GEN III Q2BOOST 1100V

SNXH150B120H3Q2F2PG-N
型番
SNXH150B120H3Q2F2PG-N
メーカー
onsemi
パッケージ
Tray
RoHS
適合
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • パッケージ / ケース Module
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
  • 输入 Standard
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 80 A
  • NTCサーミスタ Yes
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 400 µA
  • 動作温度 175°C (TJ)
  • コンフィギュレーション 3 Independent
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.5V @ 15V, 80A
  • パワー - 最大 279 W
  • 入力容量(Cies)@ Vce 19137 pF @ 20 V
  • サプライヤーデバイスパッケージ 35-PIM (93x47)

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