製品

STGD6M65DF2

IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK

STGD6M65DF2
型番
STGD6M65DF2
メーカー
STMicroelectronics
分類
単体 IGBT
パッケージ
Cut Tape (CT)
RoHS
適合
データシート
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Surface Mount
  • 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
  • パッケージ / ケース TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 逆回復時間(trr) 140 ns
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 24 A
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 12 A
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 6A
  • パワー - 最大 88 W
  • スイッチングエネルギー 36µJ (on), 200µJ (off)
  • ゲートチャージ 21.2 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 15ns/90ns
  • 試験条件 400V, 6A, 22Ohm, 15V

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