製品

VS-GT200TS065N

MODULES IGBT - IAP IGBT

VS-GT200TS065N
型番
VS-GT200TS065N
パッケージ
Box
RoHS
適合
データシート
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仕様パラメータ

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Chassis Mount
  • パッケージ / ケース Module
  • 输入 Standard
  • NTCサーミスタ No
  • 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 電流 - コレクタ遮断(最大) 100 µA
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench
  • コンフィギュレーション Half Bridge Inverter
  • パワー - 最大 517 W
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • サプライヤーデバイスパッケージ INT-A-PAK IGBT
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 193 A

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