製品

WG50N65DHJQ

IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3

WG50N65DHJQ
型番
WG50N65DHJQ
メーカー
WeEn Semiconductors
分類
単体 IGBT
パッケージ
Bulk
RoHS
適合

仕様パラメータ

  • 実装タイプ Through Hole
  • 部品ステータス Active
  • 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 200 A
  • ゲートチャージ 160 nC
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
  • 逆回復時間(trr) 105 ns
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
  • IGBTタイプ Trench Field Stop
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2V @ 15V, 50A
  • パワー - 最大 278 W
  • 試験条件 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 91 A
  • スイッチングエネルギー 1.7mJ (on), 600µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 66ns/163ns

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