- Модель
- AFGB40T65RQDN
- Производитель
- onsemi
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Заряд затвора 51 nC
- Ток коллектора импульсный (Icm) 160 A
- Время обратного восстановления (trr) 52 ns
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 68 A
- IGBT Тип Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
- Мощность - Максимальная 339.37 W
- Энергия переключения 470µJ (on), 420µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 21ns/77ns
- Условия испытания 400V, 20A, 3Ohm, 15V