- Модель
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q101
- Корпус TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 输入类型 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора импульсный (Icm) 150 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 96 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- Энергия переключения 120µJ (on), 90µJ (off)
- Мощность - Максимальная 326 W
- Заряд затвора 108 nC
- Td (включено/выключено) @ 25°C 16.8ns/136ns
- Условия испытания 400V, 25A, 9Ohm, 15V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-7-U04
