Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

APT25GP120BSC15

IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2

APT25GP120BSC15
Модель
APT25GP120BSC15
Производитель
Microchip Technology
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tube
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Тип монтажа Through Hole
  • Статус детали Active
  • Класс -
  • Квалификация -
  • Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic -
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • Заряд затвора 110 nC
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247-3
  • IGBT Тип PT
  • Условия испытания 600V, 25A, 5Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 90 A
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 69 A
  • Мощность - Максимальная 417 W
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 12ns/70ns
  • Энергия переключения 560µJ (on), 440µJ (off)

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat