- Модель
- APT45GR65BSCD10
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-247-3
- 输入类型 Standard
- IGBT Тип NPT
- Время обратного восстановления (trr) 80 ns
- Поставщик Устройство Корпус TO-247
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Мощность - Максимальная 543 W
- Заряд затвора 203 nC
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 118 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 15ns/100ns
- Условия испытания 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
- Ток коллектора импульсный (Icm) 224 A
