- Модель
- APT50GP60LDLG
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Tube
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
- Корпус TO-264-3, TO-264AA
- IGBT Тип PT
- Поставщик Устройство Корпус TO-264
- Мощность - Максимальная 625 W
- Заряд затвора 165 nC
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 150 A
- Условия испытания 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- Ток коллектора импульсный (Icm) 190 A
- Td (включено/выключено) @ 25°C 19ns/85ns
- Энергия переключения 456µJ (on), 635µJ (off)