- Модель
- APT70GR65B2SCD30
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Корпус TO-247-3
- IGBT Тип NPT
- Мощность - Максимальная 595 W
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Поставщик Устройство Корпус T-MAX™ [B2]
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 134 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 260 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
- Заряд затвора 305 nC
- Td (включено/выключено) @ 25°C 19ns/170ns
- Условия испытания 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V