- Модель
- APTCV60HM70BT3G
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Мощность - Максимальная 250 W
- Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Корпус SP3
- Поставщик Устройство Корпус SP3
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.15 nF @ 25 V
- Конфигурация Boost Chopper, Full Bridge
