- Модель
- APTGL60DH120T3G
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 80 A
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 280 W
- Корпус SP3
- Поставщик Устройство Корпус SP3
- Конфигурация Asymmetrical Bridge
- Входная емкость (Cies) при Vce 2.77 nF @ 25 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 50A
