- Модель
- APTGT100DH60T3G
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入 Standard
- Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 150 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Корпус SP3
- Поставщик Устройство Корпус SP3
- Конфигурация Asymmetrical Bridge
- Мощность - Максимальная 340 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 6.1 nF @ 25 V
