APTGT50DH120T3G

Технические характеристики

• Статус детали Obsolete
• Тип монтажа Chassis Mount
• Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
• Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• 输入 Standard
• Ток коллектора (Ic) (макс.) 75 A
• Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
• NTC Термистор Yes
• IGBT Тип Trench Field Stop
• Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
• Входная емкость (Cies) при Vce 3.6 nF @ 25 V
• Мощность - Максимальная 277 W
• Корпус SP3
• Поставщик Устройство Корпус SP3
• Конфигурация Asymmetrical Bridge