- Модель
- APTGT75A1202G
- Производитель
- Microsemi Corporation
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 110 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
- Мощность - Максимальная 357 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
- Входная емкость (Cies) при Vce 5.34 nF @ 25 V
- Корпус SP2
- Поставщик Устройство Корпус SP2
