- Модель
- DDB2U60N12W3RFC39BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- 输入 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 135 A
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 20 mW
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 950 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 7.9 µA
- Входная емкость (Cies) при Vce 24600 pF @ 25 V
