- Модель
- DF650R17IE4PB60BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация Single
- Корпус Module
- IGBT Тип -
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1700 V
- NTC Термистор Yes
- Мощность - Максимальная 4150 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 930 A
- Входная емкость (Cies) при Vce 54000 pF @ 25 V
