- Модель
- DF900R12IP4DPB60BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Ток отсечки коллектора (макс.) 500 µA
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 900 A
- Конфигурация Single Chopper
- Мощность - Максимальная 5100 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
- Входная емкость (Cies) при Vce 54000 pF @ 25 V
