Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

DGTD65T50S1PT

IGBT FIELD STOP 650V 100A TO-247

DGTD65T50S1PT
Модель
DGTD65T50S1PT
Производитель
Diodes Incorporated
Категории
Одиночные IGBT
Инкапсуляция
Tube
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Through Hole
  • Корпус TO-247-3
  • 输入类型 Standard
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 200 A
  • Время обратного восстановления (trr) 80 ns
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 100 A
  • Поставщик Устройство Корпус TO-247
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • Мощность - Максимальная 375 W
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
  • IGBT Тип Field Stop
  • Энергия переключения 770µJ (on), 550µJ (off)
  • Заряд затвора 287 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 58ns/328ns
  • Условия испытания 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat