Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

F3L600R10N3S7FBPSA1

F3L600R10N3S7FBPSA1

F3L600R10N3S7FBPSA1
Модель
F3L600R10N3S7FBPSA1
Производитель
Infineon Technologies
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tray
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Поставщик Устройство Корпус -
  • Корпус Module
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • NTC Термистор Yes
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 600 A
  • Конфигурация Three Level Inverter
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 950 V
  • Входная емкость (Cies) при Vce 37900 pF @ 25 V
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.64V @ 250A, 15V
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 110 µA

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat