Меню
Контакты
и запросить цену
Продукт

FF200R17KE4PHPSA1

MEDIUM POWER 62MM

FF200R17KE4PHPSA1
Модель
FF200R17KE4PHPSA1
Производитель
Infineon Technologies
Категории
Модули IGBT
Инкапсуляция
Tray
RoHS
Соответствует

Технические характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Корпус Module
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
  • 输入 Standard
  • NTC Термистор No
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1700 V
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Входная емкость (Cies) при Vce 18 nF @ 25 V
  • Мощность - Максимальная 1250 W
  • Конфигурация Half Bridge Inverter
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 310 A
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • Поставщик Устройство Корпус AG-62MMHB

Отсканируйте QR-код, чтобы подписаться на наш официальный аккаунт в WeChat.

QR-код WeChat
Закрыть всплывающее окно WeChat