- Модель
- FF200R17KE4PHPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1700 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Входная емкость (Cies) при Vce 18 nF @ 25 V
- Мощность - Максимальная 1250 W
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 310 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Поставщик Устройство Корпус AG-62MMHB