- Модель
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация 2 Independent
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 750 A
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONOD
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 750A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 45 µA
- Входная емкость (Cies) при Vce 115 nF @ 25 V
