- Модель
- FF750R17ME7DPB11BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Box
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- 输入 Standard
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1700 V
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 650 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 750A
- Входная емкость (Cies) при Vce 78100 pF @ 25 V
