- Модель
- FF900R12ME7PB11BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100 µA
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 900 A
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONOD
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 900A
- Входная емкость (Cies) при Vce 122 nF @ 25 V
