- Модель
- FF900R12ME7WBPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- Ток отсечки коллектора (макс.) 100 µA
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 20 mW
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 900A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 890 A
- Входная емкость (Cies) при Vce 122000 pF @ 25 V
