- Модель
- FGA30N65SMD
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- Статус детали Active
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Время обратного восстановления (trr) 35 ns
- Корпус TO-3P-3, SC-65-3
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
- Мощность - Максимальная 300 W
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
- Поставщик Устройство Корпус TO-3PN
- Ток коллектора импульсный (Icm) 90 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Заряд затвора 87 nC
- IGBT Тип Field Stop
- Энергия переключения 716µJ (on), 208µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 14ns/102ns
- Условия испытания 400V, 30A, 6Ohm, 15V