- Модель
- FGB7N60UNDF
- Производитель
- Fairchild Semiconductor
- Категории
- Одиночные IGBT
- Инкапсуляция
- Bulk
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- 输入类型 Standard
- Поставщик Устройство Корпус TO-263 (D2PAK)
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT Тип NPT
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 14 A
- Мощность - Максимальная 83 W
- Заряд затвора 18 nC
- Ток коллектора импульсный (Icm) 21 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 7A
- Энергия переключения 99µJ (on), 104µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 5.9ns/32.3ns
- Условия испытания 400V, 7A, 10Ohm, 15V
- Время обратного восстановления (trr) 32.3 ns
