- Модель
- FP35R12N2T7B67BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация Three Phase Inverter
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Термистор Yes
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 35 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Мощность - Максимальная 20 mW
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 35A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 4 µA
- Входная емкость (Cies) при Vce 6620 pF @ 25 V
