- Модель
- FP50R06KE3BPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 60 A
- Конфигурация Three Phase Inverter
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Термистор Yes
- Мощность - Максимальная 190 W
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.1 nF @ 25 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONO2C
