- Модель
- FP50R12N2T7BPSA2
- Производитель
- Infineon Technologies
- Категории
- Модули IGBT
- Инкапсуляция
- Tray
- RoHS
- Соответствует
- Техническая спецификация
- Скачать
Технические характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Three Phase Inverter
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Термистор Yes
- Ток отсечки коллектора (макс.) 10 µA
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONO2B
- Входная емкость (Cies) при Vce 11.1 nF @ 25 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 50A